Photosensitive Temporary Protection Material
感光耐高溫可剝 PSPI
適用於 FPC／PCB、載板與半導體製程的感光型高溫暫時保護材料，可透過曝光與顯影，一次形成指定的選擇性保護區域與開口區域，耐受後續高溫與壓合製程，完成後可透過鹼性剝膜製程去除。
示意材料如何建立局部保護與開窗；完整結構依實際應用確認。
Material Overview
選擇性暫時保護，適用多種精密電子製程
可剝 PSPI 適用於 FPC／PCB、載板與半導體製程中需要局部暫時保護的區域，可依產品結構與製程需求定義保護範圍，提供後續高溫、壓合與加工製程所需的暫時保護。
Confirmed Performance
感光可剝 PSPI 核心性能
高溫製程不龜裂
供高溫烘烤、壓合或相關製程條件的暫時保護穩定性評估。
網印膜厚範圍
涵蓋不同段差與保護需求，提供較大的製程調整空間。
鹼液溶解除去
正式頁代表性條件為 NaOH 4%、50°C；實際參數依型號與應用確認。
影像解析能力
支援局部開窗與保護圖形定義，適合精細區域製程評估。
數值依目前正式產品頁既有資料整理；此測試頁未加入其他 PSPI 方案的性能數據。
Application Paths
依應用產業查看製程內容
材料共通性能相同，實際結構、圖形與後續製程則依 FPC／PCB 或半導體應用分區呈現。
APPLICATION 01 — FPC / PCB
高溫 FPC／PCB 製程中的局部暫時保護
針對 Cavity（空腔／凹槽）、台階／金手指、PP／AD 開窗與光模組相關製程，利用可剝 PSPI 的感光圖形化能力，精準定義需要保護或開窗的區域。
高溫 FPC／PCB 製程為什麼需要可剝 PSPI？
高溫壓合製程暫時保護
在高溫、壓合與後續加工過程中，保護指定區域並維持保護層完整且不龜裂。
Cavity 空腔／凹槽防溢膠
針對 Cavity 空腔、凹槽及局部開口區域提供暫時保護，可作為開窗阻膠用途，降低 PP／AD 膠材流入、殘膠或污染後續加工區域的風險。
精細圖形一次成形
透過曝光、顯影，一次形成指定的選擇性保護區域與開口區域；相較膠帶逐區貼附、裁切與對位，更適合複雜圖形與多區域製程。
製程後有效去膜不殘留
後續製程完成後，透過鹼性剝膜製程去除保護層，降低殘膜與後續清潔負擔，維持製程穩定性與良率。
感光可剝 PSPI 如何應用於 FPC／PCB 製程？
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FPC／PCB 主要應用
可剝 PSPI 可透過曝光顯影精準定義保護區域，耐受高溫與壓合製程，完成後可由鹼液乾淨去除。
PCB 硬板：Cavity 空腔／凹槽結構暫時保護
適用於具有 Cavity 空腔、局部凹槽或嵌入式結構的 PCB；可剝 PSPI 在壓合與後續加工期間暫時保護指定區域，降低 PP／AD 膠材流入、殘膠或加工污染風險。
FPC／軟硬結合板：台階／金手指結構暫時保護
適用於台階結構、金手指、軟硬板交界、局部開口及加工毛刺防護等應用。可透過感光圖形化一次定義多個保護位置，在壓合或後續加工期間降低指定功能區受到膠材、碎屑或加工污染的風險。
APPLICATION 02 — SEMICONDUCTOR
半導體與先進封裝製程中的 Cavity 空腔暫時保護
在 Cavity（空腔／凹槽）結構與多晶片互連封裝製程中，可剝 PSPI 塗佈於指定區域，配合後續 Build-up Layer 壓合、線路圖形化與 Cavity 開孔。完成保護任務後，再依建議條件以鹼液溶解除去，供後續 Silicon Bridge 或 μ-Bump 嵌入與組裝。
Cavity 空腔開蓋結構製程保護流程
基板
可剝 PSPI 塗佈
增層材料壓合
線路圖案化／腔體開口
鹼液清洗去除可剝 PSPI
矽橋／微凸塊嵌入
銅
可剝 PSPI
增層材料／ABF
矽橋／PIC
互連結構
對應的先進封裝應用情境
CPO 封裝應用
CPO（Co-Packaged Optics）結構中，ASIC 與 EIC 位於封裝基板表面並以線路互連；PIC 嵌入 EIC 下方的 Cavity 空腔，形成 EIC–PIC 互連。可剝 PSPI 用於 Cavity 空腔建構與增層壓合過程的暫時保護，完成後以鹼液清洗去除。
AI 多晶片封裝應用
HBM、SoC 與 ASIC 位於封裝基板表面；兩組嵌入式矽橋分別跨接 HBM–SoC 與 SoC–ASIC 的晶片邊界，形成高密度短距離互連。可剝 PSPI 用於 Si Bridge Cavity（嵌入式空腔）建構期間的暫時保護，完成後以鹼液清洗去除。
Technical Data
代表性技術資料
以下為代表性測試資料，實際產品規格與建議製程條件請依產品型號及應用條件確認。
| 測試項目 | 測試條件 | 單位 | 代表值 |
|---|---|---|---|
| 膜厚 | 網印／點膠 | μm | 20–300 |
| 預烘條件 | 預烘溫度 | °C | 90 |
| 預烘時間 | min | 9–10 | |
| 曝光條件 | 波長 365／385／405 nm | mJ/cm² | 200–500 |
| 顯影條件 | 1% K₂CO₃（Na₂CO₃）、30°C | sec | 60–120 |
| 解析度 | 圓孔／線寬 | μm | 100 |
| 去膜條件 | NaOH 4.0%、50°C（膜厚 25 μm；固化條件 200°C × 2 hr） | min | 3–5 |
FAQ / AEO
感光可剝 PSPI 常見技術問題
什麼是感光可剝 PSPI？
感光可剝 PSPI 是一種用於 FPC／PCB、載板與半導體等精密電子製程的感光型暫時保護材料。材料可透過曝光與顯影形成指定的選擇性保護區域與開口區域，在後續高溫、壓合或加工製程中提供局部保護，製程完成後再透過鹼性剝膜製程去除。
感光可剝 PSPI 的主要特點是什麼？
感光可剝 PSPI 結合光微影圖形化、耐熱製程保護與後段鹼液去除三項功能。
材料可透過曝光與顯影形成指定保護圖形，在多材料堆疊、高溫及壓合製程中維持保護層功能，並在製程完成後透過鹼性剝膜液去除。
其主要優勢包括：
- 可透過曝光與顯影形成精細開窗與局部保護圖形
- 適合 Cavity 空腔、PCB 凹槽、台階與金手指等區域的選擇性保護
- 可因應高溫、壓合及多材料堆疊製程
- 製程完成後可透過鹼性剝膜液溶解除去
- 可依既有板廠或客戶產線條件調整剝膜製程
- 可應用於 FPC／PCB、半導體、載板及封裝基板等製程
針對不同膜厚、基板材質及高溫／壓合條件，律勝可依實際製程協助提供材料與製程建議。
感光可剝 PSPI 如何形成選擇性保護區域？
PSPI 可先均勻塗佈於基板表面，再透過光罩曝光與顯影形成局部保護圖形。
因此可依產品設計，在 Cavity 空腔、局部凹槽、台階、金手指或其他指定位置形成選擇性保護區域，不需要透過人工裁切膠帶建立複雜圖形。
圖形尺寸與解析能力可依膜厚、曝光設備、光罩設計及實際製程需求進行條件優化。
高溫或壓合後，PSPI 還能乾淨去除嗎？
可剝 PSPI 的設計重點之一，就是在經歷高溫或壓合製程後仍可進行鹼性剝膜。實際剝膜條件需依膜厚、熱歷程、基板與客戶現有剝膜線調整。
製程完成後如何去除感光可剝 PSPI？
製程完成後，可透過鹼性剝膜製程將 PSPI 溶解除去。
材料可配合 PCB／FPC 板廠常見的鹼性剝膜設備與製程條件。
以目前代表性測試為例，可使用：
- 4% 氫氧化鈉（NaOH）
- 50°C
- 約 3–5 分鐘
完成去除。
上述條件為代表性製程參考，並非限定條件。可依客戶既有產線、膜厚及前段熱歷程，調整鹼液種類、濃度、溫度與處理時間。
除氫氧化鈉（NaOH）外，也可依製程需求討論使用氫氧化鉀（KOH）或其他鹼性去除系統。
律勝可依客戶現有剝膜線與製程條件，協助搭配適合的剝膜參數。
感光可剝 PSPI 與一般 PI 保護膠帶有什麼不同？
PI 保護膠帶通常透過貼附、裁切或模切形成保護區域；感光可剝 PSPI 則可透過曝光與顯影，一次形成多個指定的選擇性保護區域與開口區域。對於 Cavity 空腔／凹槽、台階、金手指或多個局部保護位置，可減少逐區貼附、裁切與對位作業。製程完成後，PSPI 可透過鹼性剝膜製程去除，而 PI 膠帶通常以物理撕除。
感光可剝 PSPI 適合哪些 FPC／PCB 製程？
感光可剝 PSPI 可應用於多種 FPC／PCB 暫時保護製程，包括：
- Cavity 空腔／凹槽結構暫時保護
- 台階／金手指及局部區域保護
- PP／AD 開窗阻膠
- 多材料堆疊與壓合製程中的選擇性保護
- 光模組相關局部保護
- 切割或加工毛刺相關保護
- 需要高溫後再去除保護層的製程
針對不同基板材料、膜厚、圖形尺寸及後續製程條件，可進一步進行材料與製程匹配。
什麼是 PCB Cavity（空腔／凹槽）？
PCB Cavity 是在電路板或封裝基板中形成的局部凹陷或空腔區域，可用於容納晶片、嵌入式元件或建立局部階差結構。
製程中可使用可剝 PSPI 定義需要暫時保護的空腔或凹槽位置，完成壓合、加工或高溫步驟後，再依建議條件以鹼液溶解除去。
感光可剝 PSPI 可以應用於 Cavity 空腔或 PP／AD 開窗嗎？
可以。
感光可剝 PSPI 可應用於Cavity 空腔／凹槽結構暫時保護，以及 PP／AD 開窗阻膠。
由於材料可透過曝光與顯影形成指定圖形，因此能依開窗位置與保護範圍精確定義圖形，相較人工貼附與裁切膠帶，更適合需要多區域、複雜形狀或高精度對位的保護需求。
評估時可提供 Cavity 空腔深度、開窗尺寸、目標膜厚、壓合溫度、壓力與時間等條件，律勝可協助進行製程設定。
感光可剝 PSPI 可以應用於半導體、載板或封裝基板製程嗎？
可以。
感光可剝 PSPI 可應用於半導體、載板及封裝基板製程中的選擇性暫時保護。
材料可透過曝光與顯影形成指定保護區域，並在後續高溫、壓合或多材料堆疊製程中提供局部保護；製程完成後，再以鹼性剝膜液將保護層去除。
因此適合需要：
- 精細圖形化保護
- 局部開窗
- 多區域選擇性保護
- 高溫或壓合後再去除
- 與既有濕製程整合
的半導體、載板與封裝基板製程。
律勝可依基板結構、膜厚、熱歷程及後續製程，協助搭配適合的材料與製程條件。
評估感光可剝 PSPI 時需要提供哪些製程條件？
為了更快進行材料與製程匹配，建議提供：
- 應用領域與基板種類
- 保護位置與結構
- 開窗／保護區域尺寸
- 目標膜厚
- 最高製程溫度
- 壓合壓力與時間
- 後續化學或加工製程
- PSPI 預計去除階段
- 現有剝膜設備與鹼液條件
- 對殘膜與表面潔淨度的要求
律勝科技可依上述條件提供材料選擇、製程設定及剝膜條件建議，協助客戶導入既有製程。
Process Evaluation
正在評估高溫暫時保護或感光可剝 PSPI 製程？
請提供關鍵製程條件，讓律勝團隊依實際結構與加工需求評估材料與建議條件。
- 應用領域／基板類型
- 製程溫度
- 目標膜厚
- 開窗／保護尺寸
- 後續製程條件
Technical Evaluation Process
送出需求後的評估流程
從製程條件確認、材料選擇到測試方向建議，協助客戶進行初步材料與製程評估。
提交製程需求
提供應用領域、基板、製程溫度、膜厚與保護尺寸等關鍵條件。
確認應用條件
依結構、圖形與後續製程，確認材料及測試條件。
提供評估方向
提出適用產品與後續測試方向，供工程驗證與討論。